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918博天堂平台浅析大功率LED芯片技术发展情况
来源:http://www.narcostyle.com 作者:博天堂官网 发布时间:2018-02-24 13:04 浏览量:

  浅析大功率LED芯片技术发展情况

  大功率芯片技能专心于怎么进步出光功率来进步芯片的发光功率,首要技能途径和开展情况论述如下:

  一:改动芯片外形的技能

  当发射点处于球的中心处时,球形芯片能够获得最佳的出光功率。改动芯片几许形状来进步出光功率的主意早在60年代就用于二极管芯片,但由于本钱原因一向无法有用。在实践使用中,往往是制造特别形状的芯片来进步侧向出光的使用功率,也能够在发光区底部(正面出光)或许外延层资料(反面出光)进行特别的几许标准规划,并在恰当的区域涂覆高防反射层薄膜,来进步芯片的侧向出光使用率。

  1999年HP公司开发了倒金字塔形AlInGaP芯片并到达商用的方针,TIP结构削减了光在晶体内传输间隔、削减了内反射和吸收(有源区吸收和自在截流子吸收等)引起的光损耗、芯片特性大幅度改进,发光功率达100流明/瓦(100mA,610nm),外量子功率更到达55%(650nm),而面朝下的倒装结构使P-N结更挨近热沉,改进了散热特性,进步了芯片寿数。

  二:键合技能

  AlGaInP和AlGaInN基二极管外延片所用的衬底分别为GaAs和蓝宝石,它们的导热功能都较差。为了更有用的散热和下降结温,可经过减薄衬底或去掉本来用于成长外延层的衬底,·名家汇签218亿亮化美化项目协作协议!然后将外延层键合搬运倒导电和导热功能杰出热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、率LED芯片技术发展情况氮化铝等。键合可用合金焊料如AuSn、PbSn、In等来完结。Si的热导率比GaAs和蓝宝石都好,并且易于加工,价格便宜,是功率型芯片的首选资料。

  2001年,Cree推出的新一代XBTM系列反面出光的功率型芯片,其尺度为0.9mmx0.9mm,顶部引线键合垫处于中心方位,选用"米"字形电极使注入电流能够较为均匀的扩展,底部选用AuSn合金将芯片倒装焊接在管壳底盘上,具有较低的热阻,作业电流400mA时,波长405和470nm的输出光功率分别为250mW和150mW。

  三:倒装芯片技能

  AlGaInN基二极管外延片一般是成长在绝缘的蓝宝石衬底上,918博天堂平台浅析大功欧姆触摸的P电极和N电极只能制备在外延外表的同一侧,正面射出的光部分将被触摸电极所吸收和键合引线遮挡。形成光吸收更首要的要素是P型GaN层电导率较低,918博天堂平台,为满意电流扩展的要求,覆盖于外延层外表大部分的半透明NiAu欧姆触摸层的厚度应大于5-10nm,可是要使光吸收最小,则NiAu欧姆触摸层的厚度有必要十分薄,这样在透光率和扩展电阻率二者之间则要处以恰当的折衷,折衷规划的成果必定使其功率变换的进步受到了约束。

  倒装芯片技能可增大输出功率、下降热阻,使发光的pn结接近热沉,进步器材可靠性。后白光LED专利年代 我国LED厂能2001年Lumileds报导了倒装焊技能在大功率AlInGaN基芯片上的使用,避免了电极焊点和引线对出光功率的影响,改进了电流分散性和散热性,背反射膜的制备将传向下方的光反射回出光的蓝宝石一方,进一步进步出光功率,·浅析LED照明股市:职业有危险 出资需谨慎,外量子功率达21%,功率换功率达20%(200mA,435nm),最大功率到达400mW(驱动电流1A,435nm,芯片尺度1mmx1mm),其整体发光功率比正装添加1.6倍。

  四:全方位反射膜

  除在键合界面制备金属基反射层外,也能够经过外延技能成长具DBR层的AlInGaP和AlInGaN基芯片,但由于DBR反射率跟着入射角的添加敏捷削减,以全方位均匀仍有较高的光损耗,反射膜功率不高。

  金属基全方位反射膜可使用于正装芯片也可使用于倒装芯片。金属基全方位反射膜可有用进步出光功率,但有必要处理怎么制备低阻欧姆触摸,高的全方位反射率,和在后续工艺过程中反射膜不会被危害而失掉低阻高反射的特性等。


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